模塊化概念，Laser MBE可以輕松升級到中央傳輸模塊或其他模塊
UHV PLD主腔室、利用Load-lock實現(xiàn)襯底和靶材的UHV傳輸
先進的工藝自動化功能，可實現(xiàn)超晶格生長
溫度測量準確的耐氧襯底加熱器，最高1000 ℃，也可以選配激光加熱
靶臺可以屏蔽交叉污染，傳輸整個carrousel而非單個靶材
真空腔室利于系統(tǒng)升級（RHEED，等離子體源，OES/FTIR等）
SURFACE激光能量密度控制選件，100%的結果可重復性
全封閉光路，安全省事
整套交付，先進的在線支持
SURFACE的Laser MBE腔室專為科研而設計，并提供高級Laser MBE需要的所有特征。
襯底和靶材的UHV傳輸
冷壁設計防止沉積過程中腔壁放氣
原位分析窗口和法蘭口（RHEED，OES或FTIR，質(zhì)譜儀）
沉積源和等離子體源備用法蘭口
先進的SURFACE襯底加熱器或激光加熱
靶臺最多可存貯5個1寸靶材
Laser MBE可以選配SURFACE 激光能量密度控制功能。它可以確保薄膜沉積的重復性。在每一步沉積前，自動校準激光能量密度，脈沖能量隨著時間推移而始終保持恒定。
Loadlock腔室最多可同時裝載5個樣品和2個靶臺carrousel。
SURFACE的Laser MBE設備均是高度自動化的，可以自動控制整個沉積過程，從而確保設備易于操作。
多個工藝步驟被合并到一個沉積程序中，直觀的工藝過程可視化操作，高度靈活的數(shù)據(jù)記錄和導出，優(yōu)異的自我測試能力。
Laser MBE可以輕松升級為功能齊備的cluster系統(tǒng)。在PLD主腔室和Load-lock進樣室中間插入中央cluster傳輸模塊。模塊化設計和輪式支架簡化了升級過程，可根據(jù)需要和預算來升級系統(tǒng)。